这些单体通常被认为是自由基清除剂，配文全不能直接用于自由基聚合。

电网c）PDBD-Se的GIWAXS图案（左）和AFM形貌（右）。韩素婷主要从事功能电子器件领域的研究工作，投资在Mater.Today、投资Adv.Mater.、Nat.Commun.、ACSNano、Adv.Funct.Mater.、Mater.Horiz.、Adv.Sci.、Small 等国际顶级期刊发表第一作者及通讯作者论文近50篇，其中20余篇论文被选为AdvancedMaterials 等杂志封面或卷首。

配文全 图二十三Ge/Si核/壳纳米线晶体管中Si壳结晶度和形貌对性能的影响。获得香港青年科学家奖最终入围奖、电网香港城市大学最佳博士毕业论文奖、周亦卿研究生院奖、卓越学术研究一等奖、杰出学术表现奖等多项奖项。投资e）基于QBS小分子的OFET的输出特性曲线。

受突触间隙中神经递质的流动与半导体中电荷的动态输运和捕获操作之间的相似性的启发，配文全双极型晶体管也具有人工突触仿真的巨大潜力。电网e）通过在电极和活性层之间插入额外的电子注入层来增强电子注入的设计机制的示意图;基于BP3T的双极型有机单晶晶体管的输出特性曲线。

投资c）上述两个部分之间的不同共聚比对电荷迁移率（左）和极性平衡（右）的影响。

配文全b）PDBD-T和PDBD-Se的化学结构和基于PDBD-Se薄膜的OFET的输出特性曲线。电网这应该也是海思麒麟955使用更先进的16nm工艺的原因。

处理器核心架构推断接下来，投资就到了变数最大的一步：推测核心架构。因为如果其生产工艺是20nm，配文全理智的做法就是不要加太多高功耗的核心在里面，而是和联发科一样只使用两颗，否则20nm会压不住它的发热量。

我觉得没什么悬念，电网也会使用MaliT880，或者PowerVR的低端GPU。投资还差最后一个东西GPU。